Eur. Phys. J. AP 6, 141-146 (1999)
https://doi.org/10.1051/epjap:1999163

Surface effects of heat treatments in active atmosphere on structural, morphological and electrical characteristics of CuInS₂ thin films

¹ Laboratoire de Photovoltaïque et Matériaux Semiconducteurs, ENIT, B.P. 37, Le Belvédère, 1002 Tunis, Tunisia
² Laboratoire de Cristallographie, 25 avenue des Martyrs, 166X, 38042 Grenoble, France

Received: 10 June 1998
Revised: 20 October 1998
Accepted: 15 February 1999
Published online: 15 May 1999

Abstract

Thin amorphous CuInS₂ films were deposited on the glass substrates by single source thermal evaporation technique. The effect of heat treatments in sulfur atmosphere, in air and under vacuum on the surface layers is discussed in terms of the surface structure of the films. The films were examined by grazing X-ray diffraction and reflectometry (GXRD and GXRR). From a comparison with the GXRD results, the densities of the surface layers are explained by the presence of secondary phases. We established a correlation between stoichiometry and conductivity depending on the annealing conditions.

Résumé

Des couches minces de CuInS₂ amorphe sont déposées sur des substrats de verre par la technique d'évaporation thermique monosource. L'effet des traitements thermiques sous atmosphère de soufre, air et sous vide sur les surfaces des couches a été discuté en relation avec les propriétés structurales des surfaces des couches. Les couches sont analysées par la réflectométrie et la diffraction de rayons X rasants. Par comparaison avec les résultats de la diffraction de rayons X rasants, les densités des surfaces des couches sont expliquées par la présence des phases secondaires. Nous avons établi une corrélation entre la stœchiométrie des couches et leurs conductivités en fonction des conditions de recuit.