Eur. Phys. J. AP 3, 135-139 (1998)
https://doi.org/10.1051/epjap:1998215

De la nécessité d'une fine couche de nickel pour obtenir des couches minces de MoSe₂ photoconductrices

¹ Équipe de Physique des Solides pour l'Électronique, Groupe Couches Minces et Matériaux Nouveaux, 2 rue de la Houssinière, BP 92208, 44322 Nantes Cedex 03, France
² LPMCE, Institut de Physique, Université d'Oran Es-Senia, BP 1642, Oran, Algérie
³ Université Libanaise, Faculté des Sciences I, Beyrouth, Liban

Auteur de correspondance : jean.pouzet@physique.univ.nantes.fr

Reçu : 15 Décembre 1997
Révisé : 7 Avril 1998
Accepté : 21 Avril 1998
15 Août 1998

Résumé

Une méthode d'obtention de couches minces photoconductrices de MoSe₂  a été mise au point. Ces couches sont obtenues à partir d'une structure multicouches Mo/Se/Mo/Se...Mo/Se déposée sur une fine couche de Ni. À l'issue d'un traitement thermique on a montré que des couches minces stœchiométriques, texturées et photoconductrices sont obtenues.

Abstract

A process to obtain photoconductive MoSe₂ thin films is described. The films are obtained by annealing a multilayer Mo/Se/Mo...Se/Mo/Se structure evaporated onto a thin Ni layer. The films are stoichiometric and textured with the c axis of the crystallites perpendicular to the plane of the substrate. The films are photoconductive with a photocurrent of about 80 µA.